RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1160–1163 (Mi phts3428)

«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия

М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян


Аннотация: Первое экспериментальное наблюдение «тонкой» структуры края поглощения монокристаллов CdTe выполнено при 2 K благодаря приготовлению очень тонких ненапряженных образцов для исследования. В спектрах поглощения помимо максимумов основного (${n_{0}=1}$) и возбужденного (${n_{0}=2}$) состояний и ЭПК на фоне континуума присутствуют особенности, связанные с экситон-фононным взаимодействием. Выполненные расчеты энергии связи свободного экситона ${R^{*}=9.05}$ мэВ и глубины внецентрового минимума экситонной зоны ${\Delta\varepsilon_{k}=1.08}$ мэВ позволяют удовлетворительно описать экситонную серию с краем диссоциации ${\varepsilon_{g}^{0}=1606.5}$ мэВ. Экспериментально измеренная температурная зависимость полуширины экситонных максимумов ${n_{0}=1,\,2}$ показывает, что их температурное уширение связано главным образом со взаимодействием с $LO$-фононом, характеризуемым константой, более чем на порядок превышающей фрлиховскую константу электрон-фононного взаимодействия в CdTe. Что же касается экситон-фононного максимума на фоне континуума, то поведение при повышении $T$ позволяет считать его связанным не с ЭФК, а с непрямыми переходами во внецентровый минимум экситонной зоны с излучением $LO$-фонона.



© МИАН, 2024