Возможные конфигурационные модели и адиабатические потенциалы для водорода в $a$-Si : H

Методом ССП МО ЛКАО в базисе STO-3G рассчитаны адиабатические потенциалы $T^{0}$-системы (H$_{3}$SiHSiH$_{3}$) для разных расстояний Si$-$Si: 1)  на малых расстояниях потенциал для колебательных движений атома Н, входящего в трехцентровую связь Si$-$Н$-$Si, является одноямным; 2)  для больших расстояний (${R_{\text{Si$-$Si}}\geqslant5.6}$ а. е.) адиабатический потенциал двухъямный. Величина туннельного расщепления для расстояния ${R_{\text{Si$-$Si}}=10,4}$ а. е. порядка ${\sim10^{-49}}$.
Проведены оценки энергий активации водорода на трехцентровой связи и частоты колебаний атома Н для обоих случаев, а также оценка параметра ангармонизма потенциальной ямы в случае двухъямного потенциала. Рассчитанные величины сопоставлены с экспериментальными данными для $a$-Si : H.