Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе

В эпитаксиальных слоях (ЭС) In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As обнаружены особенности электрофизических свойств: аномальная энергия активации собственной проводимости, сдвиг «красной границы» фотопроводимости в длинноволновую область, аномально высокое отношение подвижности электронов к подвижности дырок, особенности в рассеянии электронов. Полученные результаты анализируются с привлечением данных по фототермической ионизации, рамановской и электронной микроскопии и объясняются наличием в исследованных ЭС микронеоднородностей по составу, связанных с существованием на диаграммах фазовых равновесий областей несмешиваемости. Сделаны оценки масштаба флуктуации.