Аннотация:
Рассчитаны спектры оптического усиления одноосно
деформированных полупроводников типа GaAs. Исследовано влияние
деформации на поляризационную стабильность РОС гетеролазеров на основе
InGaAsP/InP. Найдены области поляризационной стабильности в случае
одноосного сжатия и показано, что они очень чувствительны к величине порогов
генерации $TM$- и $TE$-мод резонатора.