RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1207–1213 (Mi phts3437)

Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров с деформированным активным слоем

Е. А. Аврутин, М. А. Алексеев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка


Аннотация: Рассчитаны спектры оптического усиления одноосно деформированных полупроводников типа GaAs. Исследовано влияние деформации на поляризационную стабильность РОС гетеролазеров на основе InGaAsP/InP. Найдены области поляризационной стабильности в случае одноосного сжатия и показано, что они очень чувствительны к величине порогов генерации $TM$- и $TE$-мод резонатора.



© МИАН, 2024