RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1270–1274 (Mi phts3449)

Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами

А. И. Гирка, В. А. Кулешин, А. Д. Мокрушин, Е. Н. Мохов, С. В. Свирида, А. В. Шишкин


Аннотация: Методом измерения времени жизни позитронов проведены исследования вакансионных дефектов в карбиде кремния, образовавшихся при облучении реакторными нейтронами (диапазон флюенсов ${3\cdot 10^{15}\div 1\cdot 10^{20}\,\text{см}^{-2}}$), а также их эволюции в процессе изохронного отжига (${T_{a}=100\div2000^{\circ}}$С). Оценены энергия активации миграции индуцированных дефектов (2.1 эВ) и их концентрация. Обнаружен эффект кластеризации вакансий в образцах, облученных до флюенсов ${\sim10^{20}\,\text{см}^{-2}}$. Определены энергия активации образования кластеров (1.4 эВ) и их максимальная концентрация ($10^{18}\,\text{см}^{-3}$). Показано наличие двух высокотемпературных стадий отжига вакансионных кластеров, характеризующихся энергиями активации 2.6 в 3.0 эВ.



© МИАН, 2024