А. Н. Пихтин, В.-М. Айраксинен, X. Липсанен, Т. Туоми, “Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7,страницы 1280

Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом фотоотражения

А. Н. Пихтин, В.-М. Айраксинен, X. Липсанен, Т. Туоми

Аннотация: Впервые в дифференциальных спектрах отражения, промодулированных лазерной подсветкой, при комнатной температуре отчетливо наблюдался сигнал, обусловленный примесными состояниями. В высокоомном арсениде галлия этот сигнал превышал сигнал в собственной области спектра.