«Моттовское» плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом

Теоретически изучена зависимость емкости от напряжения для диода Шоттки, у которого полупроводниковая основа содержит изотипный гетеропереход, а металлический контакт граничит с широкозонным слоем. Показано, что на вольтъемкостной характеристике будет непременно присутствовать горизонтальный участок, названный нами «моттовским» плато. На протяжении плато широкозонный слой полностью истощен, а в узкозонной толще имеется тонкая область аккумуляции свободных носителей, так что с изменением напряжения изменяется лишь заряд этой области. В материале $n$-типа ширина плато шкале напряжений пропорциональна квадратному корню из величины разрыва зоны проводимости на гетеропереходе. В интервале плато изучаемая структура подобна барьеру Мотта металл–изолирующий полупроводник–легированный полупроводник.