Исследование поведения примесей при ионной имплантации селеном GaAs

Исследовано влияние ионной имплантации селена и послеимплантационного отжига на перераспределение серы, кислорода и углерода в поверхностном слое полуизолирующего арсенида галлия, полученного по методу Чохральского с жидкостной герметизацией. Показано, что упомянутые элементы в результате имплантации селена и отжига при 1123 K в течение 20 мин перераспределяются в тонком приповерхностном слое, причем между ними наблюдается взаимодействие, и на перераспределение рассматриваемых примесей влияют радиационные дефекты, возникающие в процессе имплантации.