Изменение свойств приповерхностных слоев кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под воздействием электронного пучка

С использованием метода наведенного электронным пучком тока обнаружено изменение электрических свойств приповерхностных слоев кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при воздействии низкоэнергетичных электронов. Уже при малых временах облучения в приповерхностном слое кристаллов как $n$-, так и $p$-типа проводимости возникает встроенное электрическое поле, эффективно разделяющее неравновесные носители заряда. Его появление объясняется увеличением концентрации акцепторных центров и образованием более широкозонного материала в области, прилегающей к месту воздействия. Обращается внимание на влияние дефектной структуры кристалла в наблюдаемых изменениях.