Аннотация:
Сообщается об исследовании спонтанной электролюминесценции
в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb
(${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K). Исследовались спектры излучения, внешний квантовый выход
и постоянная времени спада излучения изопериодных
структур $n$-GaSb${-}n$-Ga$_{0.75}$In$_{0.25}$As
$_{0.22}$Sb$_{0.78}{-}p$-GaAlSbAs с различной толщиной
узкозонной области в интервале
значений $0.4{-}5$ мкм при температурах 77 и 300 K. Обнаружено, что при изменении толщины узкозонной области от 5
до 0.4 мкм энергия максимума полосы излучения
сдвигается в длинноволновую область на $20{-}30$ мэВ
(при 77 и 300 K), постоянная времени слада уменьшается почти на
порядок от $10^{-8}$ до $10^{-9}$ с, а внешний квантовый
выход излучения увеличивается почти в 5 раз. В результате анализа данных по электролюминесцентным
и фотоэлектрическим свойствам делается вывод о том, что излучательная
рекомбинация в диодах с толстой узкозонной областью является
преимущественно квазимежзонной, а в диодах с тонкой узкозонной областью
доминирующую роль играет интерфейсная люминесценция через состояния на
$n{-}n$-границе. Обсуждается модель излучательных переходов
через границу раздела гетероперехода II типа.