Аннотация:
Экспериментально обнаружено и исследовано расслоение
инжектированной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) высокой
плотности в пленках GaAs. Выяснено, что расслоение ЭДП происходит
при электрических полях, на несколько порядков меньших порогового
поля ударной ионизации GaAs. Установлено, что ЭДП расслаивается
лишь в том случае, когда ток инжекции (т. е. концентрация ЭДП
в пленке GaAs) и электрическое поле превосходят определенные критические
значения. Найдена зависимость критического значения для расслоения
ЭДП инжекционного тока от падения напряжения на структуре. Изучена
эволюция светло-голубых светящихся точек, образующихся в пленке GaAs
при расслоении горячей ЭДП, от тока инжекции
и падения напряжения на структуре.