Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей заряда в полупроводниках

В приближении потенциального рассеяния анализируется температурная зависимость подвижности носителей заряда, обусловленная рассеянием на электростатическом потенциале скоплений дефектов, связанном с плотностью заряда, локализованного на дефектах, и деформацией, создаваемой дефектами в скоплении. Показано, что при рассеянии на скоплениях нейтральных дефектов, когда потенциал определяется деформацией, подвижность может уменьшаться с повышением температуры. При рассеянии на скоплениях заряженных центров подвижность увеличивается с ростом температуры. Проанализирована правомерность использования приближения потенциального рассеяния для ряда случаев.