RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 8, страницы 1406–1410 (Mi phts3481)

Влияние гидростатического давления на концентрацию и подвижность электронов в Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$

А. В. Лашкул, ЯнЦисовски, Э. К. Арушанов, А. Ф. Князев


Аннотация: Исследовались барические зависимости концентрации и подвижности электронов в монокристаллах Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$ с ${0<x\leqslant0.33}$ в области собственной проводимости. Подтверждена экспериментально инверсная зонная структура арсенида кадмия (наблюдался участок роста подвижности с давлением) и прослежена эволюция зонной структуры данных твердых растворов с составом. Определены барические коэффициенты ширины запрещенной зоны и термического зазора для исследованных монокристаллов (${\gamma_{0}=52\pm2}$ мэВ/ГПа; ${\gamma_{t}=4\pm1}$ мэВ/ГПа); расчеты барических зависимостей подвижности электронов учитывали не только изменение плотности состояний, происходящее симметрично относительно точки перекрытия зон, но и изменение формы волновой и диэлектрической функций, несимметричных относительно этой точки, вызывающих под влиянием давления изменение самой ширины запрещенной зоны.



© МИАН, 2024