Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)

Теоретически рассмотрен новый метод определения электрофизических параметров неосновных носителей заряда в режиме тока, индуцированного электронным зондом, в эпнтаксиальных слоях, толщина которых меньше величины диффузионной длины носителей. Анализируются возможности одновременного определения диффузионной длины и скорости интерфейсной рекомбинации в гетероэпитаксиальных пленках.
Показано, что, несмотря на сравнительно сложное теоретическое описание метода, могут быть выбраны условия измерений, при которых искомые параметры определяются по экспоненциальной координатной зависимости сигнала индуцированного тока.