Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)

Исследованы электрофизические свойства тонких гетероэпитаксиальных слоев $n$-GaAs, выращенных MOС гидридным методом. Впервые экспериментально продемонстрированы возможности нового метода одновременного определения скорости интерфейсной рекомбинации и диффузионной длины ($L_{d}$) неосновных носителей заряда в материале активной облаете двойной гетероструктуры. Показано, что в преднамеренно не легированных слоях n-GaAs диффузионная длина в $2{-}3$ раза превышает $L_{d}$ в легированных кремнием пленках GaAs, в которых в широком диапазоне концентраций примеси доминирует безызлучательный канал рекомбинации. Исследовано влияние технологических режимов выращивания на величину $L_{d}$.