С. Д. Барановский, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин, “Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 8,страницы 1434

Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs

С. Д. Барановский, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин

Аннотация: Показано, что из анализа температурной зависимости формы линии ${1s\to2p_{0}}$ фотовозбуждения мелких доноров, обусловленной переходом от коррелированного распределения электронов по примесям к полностью случайному, возможно определение раздельной концентрации доноров и акцепторов в GaAs.