Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в $p$-Si$\langle\text{Ge}\rangle$

Изучалось влияние примеси германия на образование и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов (РД) в выращенном методом Чохральского монокристаллическом кремнии $p$-типа (${\rho= 10\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$). Результаты получены из анализа температурных зависимостей концентрации основных носителей заряда в контрольных и легированных германием до концентрации ${\simeq5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ кристаллах на различных этапах облучения $\gamma$-квантами ${}^{60}$Со и последующего изохронного отжига. Установлено, что при облучении образуются два РД с близкими уровнями [${E_{v}+ (0.31\pm0.02}$) и ${\leqslant E_{v}+0.35}$ эВ], различающиеся температурой отжига, а соотношение между их концентрациями зависит от наличия германия в кристаллах, Предполагается, что первыми из них являются комплексы углерод–кислород–дивакансия, а вторыми — междоузельный углерод–междоузельный кислород. Особенности накопления и отжига этих РД в $p$-Si$\langle\text{Ge}\rangle$ объяснены с учетом влияния создаваемых атомами германия упругих напряжений на локализацию в кристаллах примесей углерода и кислорода, диффузию первичных РД при облучении и энергию активации отжига РД.