RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 162–164 (Mi phts35)

Краткие сообщения

Влияние легирования Ga на экситонные спектры в сульфиде кадмия

М. А. Якобсон, С. Л. Карпенко

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Поступила в редакцию: 21.02.1985
Принята в печать: 01.08.1985



© МИАН, 2024