RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 1,
страницы
162–164
(Mi phts35)
Краткие сообщения
Влияние легирования Ga на экситонные спектры в сульфиде кадмия
М. А. Якобсон
,
С. Л. Карпенко
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Поступила в редакцию:
21.02.1985
Принята в печать:
01.08.1985
Полный текст:
PDF файл (436 kB)
©
МИАН
, 2024