Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs : Si-структурах

Разработана теоретическая модель инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs : Si-структурах. Показано, что немонотонная кинетика изменения эффективности свечения структур в условиях инжекции: может быть хорошо описана на основе представлений о рекомбинационно-стимулированном распаде простых комплексов примесь–собственный дефект, последующей рекомбинационно-стимулированной диффузии собственных дефектов и объединения их в сложные многочастичные комплексы — центры безызлучательной рекомбинации, проявляющиеся в металлографических исследованиях. При этом удалось объяснить возрастание при инжекции по экспоненциальному закону интенсивности свечения GaAs : Si-светодиодов, последующее снижение интенсивности свечения по закону ${W\sim(\alpha t)^{-2/3}}$ и рассчитать коэффициент дефектообразования ${\gamma\approx10^{-9}}$, характеризующий процесс рекомбинационного распада простых комплексов. Анализируются элементарные физические механизмы, способные объяснить полученные параметры рекомбинационно-стимулированного процесса.