А. Р. Регель, У. Ж. Абдуманапов, В. А. Васильев, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, “Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9,страницы 1552

Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии

А. Р. Регель, У. Ж. Абдуманапов, В. А. Васильев, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин

Аннотация: Показано, что примесные атомы диспрозия образуют в зазоре подвижности аморфного гидрогенизированного кремния полосу акцепторного типа, лежащую на 0.73 эВ ниже порога подвижности. Увеличение фотопроводимости легированного материала объясняется эффектами геттерирования. Отмечается, что примесные атомы диспрозия формируют центры излучательной рекомбинации и в принципе возможен переход к режиму стимулированного излучения.