В. Н. Бабенцов, В. М. Булах, С. И. Горбань, Л. В. Рашковецкий, Е. А. Сальков, “Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах в теллуриде кадмия”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9,страницы 1560

Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах в теллуриде кадмия

В. Н. Бабенцов, В. М. Булах, С. И. Горбань, Л. В. Рашковецкий, Е. А. Сальков

Аннотация: Обнаружена тонкая структура фотолюминесцентного (ФЛ) излучения теллурида кадмия в области $820{-}840$ нм, возникающего вследствие рекомбинации носителей заряда на комплексных дефектах. Рассмотрена зависимость спектра (ФЛ) от плотности дефектов, температуры отжига кристалла и температуры, при которой исследуется ФЛ. Предложен возможный механизм образования дефектов.