Ю. А. Черкасов, П. А. Буров, И. А. Давыдов, В. Г. Лучина, А. П. Одринский, А. И. Румянцев, “Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9,страницы 1572

Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe

Ю. А. Черкасов, П. А. Буров, И. А. Давыдов, В. Г. Лучина, А. П. Одринский, А. И. Румянцев

Аннотация: Методами спектроскопии поверхностной фотоэдс и фотолюминесценции выполнены спектроскопические исследования центров фоточувствительности тонких пленок CdSe регистрирующих систем типа инжекционный сенсибилизатор–термопластик.
Показано, что для пленок, выращенных в условиях, близких к условиям роста монокристаллов (вакуумное испарение в квазизамкнутом объеме), и обладающих высокой фоточувствительностью, центры фоточувствительности могут быть отождествлены с $r$-центрами медленной рекомбинации с энергией ионизации 1.26 эВ, отвечающими в монокристаллах за высокий квантовый выход фотогенерации носителей заряда. Центры обусловлены вакансиями кадмия, возникающими в результате термохимической сенсибилизации пленок CdSe после их выращивания.