Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ

Установлено, что облучение кристаллов $n$-InР электронами приводит к появлению в спектре краевой фотолюминесценции (ФЛ) двух узких полос при энергиях 1.305 и 1.392 эВ (${T=4.2}$ K), которые связываются с излучательными переходами свободных электронов на два уровня акцепторного дефекта In$_{P}$. Найдено, что начиная с дозы электронного облучения ${D\simeq3\cdot10^{16}\,\text{см}^{-2}}$ происходит удаление свободных носителей из $n$-InP и усиление спада интенсивности донорно-акцепторной (1.376 эВ) и экситонной (1.416 эВ) полос ФЛ.