Об использовании кремниевых структур типа М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней

Анализируется корректность использования структур типа М$-$П$-$М в методе нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Для их аттестации предлагается использовать особенности амплитудной характеристики импульсного фотоотклика структуры, смещенной в запорном направлении, выявляющие наличие потенциального барьера на тыловом контакте. Вариацией приемов создания тылового контакта типа М$-$П показана возможность получения структур, где указанный барьер отсутствует. Проведена их апробация при исследовании свойств и распределения по глубине центров в запрещенной зоне в высокоомном исходном и термообработанном Si с ${\rho\sim 1\,\text{кОм}\cdot\text{см}}$.