Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в $p$-кремнии

Исследованы перестройка и стабильность радиационных дефектов с энергетическими уровнями $E_{c}{-}0.14$, ${E_{v}+0.29}$, ${E_{v}+0.35}$ и ${E_{v}+0.38}$ эВ в $p$-кремнии при инжекционных, электрополевых и термических воздействиях. Показано, что диссоциация инжекционно-отжигающегося дефекта с энергетическим уровнем $E_{c}{-}0.14$ эВ, образующегося при высокой скорости генерации первичных дефектов, приводит к увеличению концентрации междоузельного углерода (${E_{v}+0.29}$ эВ), который при термическом отжиге идет на образование комплексов C$_{i}{-}$ O$_{i}$ или C$_{i}{-}$ О$_{s}$ с уровнем ${E_{v}+0.38}$ эВ. Последний при дальнейшем нагревании изменяет конфигурацию и дает энергетический уровень ${E_{v}+0.35}$ эВ. Предполагается, что инжекционно-отжигающийся дефект является двойным или расщепленным междоузлием кремния либо комплексом $\text{Si}_{i}{-}\text{С}_{i}$.