RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9, страницы 1635–1639 (Mi phts3531)

Структура пика E3 в арсениде галлия

В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако


Аннотация: Показано, что известный пик E3, наблюдаемый методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ) в арсениде галлия $n$-типа, облученном гамма-квантами и электронами, представляет собой сумму трех пиков. Основной вклад в суммарный пик вносит центр E3. Второй из составляющих пиков обусловлен эмиссией электронов, сопровождающей конфигурационную перестройку бистабильного дефекта EM1. Предполагается, что третий пик также связан с конфигурационно-бистабильным центром.



© МИАН, 2024