Влияние легирования расплава-раствора гадолинием и алюминием на электрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb

Методами эффекта Холла и фотолюминесцении исследованы эпитаксиальные слои антимонида галлия, легированного примесями Gd и Al, а также нелегированные слои в зависимости от состава и отжига раствора-расплава. Показано, что во всех указанных случаях происходит уменьшение концентрации акцепторных центров с энергиями ионизации ${E_{1}\sim0.035}$ и ${E_{2}\sim0.08}$ эВ. Предлагаются две модели, позволяющие объяснить полученные результаты.