О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках $n$- и $p$-типа

Получены соотношения, связывающие подвижности основных и неосновных носителей заряда в полупроводниках $n$- и $p$-типа. На основе этих соотношений проанализированы результаты экспериментальных исследований подвижности дырок в образцах кремния, различающихся типом проводимости. Показано, что за счет электронно-дырочных столкновений дырки в $n$-материале оказываются менее подвижными, чем в $p$-материале. Получена зависимость подвижности $\mu_{pn}$, определяемой электронно-дырочным рассеянием, от концентрации основных носителей — электронов.