RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9, страницы 1686–1689 (Mi phts3541)

Краткие сообщения

Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении

Ш. Махкамов, Ю. В. Пахаруков, М. С. Юнусов




© МИАН, 2024