RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 9,
страницы
1686–1689
(Mi phts3541)
Краткие сообщения
Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении
Ш. Махкамов
,
Ю. В. Пахаруков
, М. С. Юнусов
Полный текст:
PDF файл (531 kB)
©
МИАН
, 2024