RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 10, страницы 1737–1740 (Mi phts3557)

Эффект псевдолегирования аморфного кремния

О. А. Голикова, М. М. Казанин, В. X. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, У. С. Бабаходжаев


Аннотация: Получены пленки гидрированного аморфного кремния ($a$-Si : Н) методом ВЧ разложения силаносодержащей газовой смеси в диодной и триодной системах. Показано, что варьирование температуры и скорости осаждения пленок, скорости прокачки газовой смеси, потенциала смещения на сетке (в триодной системе) приводит к изменениям элементов структурной сетки $a$-Si : Н и соответственно функции плотности состояний и положения уровня Ферми в щели подвижности. Таким образом, без специального легирования удается смещать уровень Ферми в пределах ${|\varepsilon_{c}-\varepsilon_{F}| =0.9\div0.3}$ эВ.



© МИАН, 2024