RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 10, страницы 1762–1766 (Mi phts3562)

Нелинейное поглощение света в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

В. Г. Средин, В. М. Укроженко


Аннотация: Приведены результаты измерений коэффициента поглощения излучения лазера на углекислом газе в объемных монокристаллах Cd$_{0.21}$Hg$_{0.79}$Te.
Предполагается, что возрастание коэффициента поглощения с увеличением интенсивности связано с оптическими переходами через энергетические уровни в запрещенной зоне. Проведена оценка концентрации носителей на предполагаемых уровнях в области локализации этих уровней в запрещенной зоне.



© МИАН, 2024