Изменение электрических параметров полуизолирующего GaAs при термообработке

Исследовано влияние термообработки в режиме постимплантационного отжига на объемные электрические параметры монокристаллов нелегированного и легированного индием полуизолирующего GaAs, выращенных методом Чохральского в различных условиях. Показано, что изменение условий выращивания меняет состав кристалла и соответственно характер влияния отжига на концентрацию носителей заряда. При избытке галлия в кристалле термообработка приводит к возрастанию концентрации носителей, при избытке мышьяка — к ее снижению. Установленные закономерности могут быть объяснены при условии смещения точки конгруэнтного плавления GaAs в сторону избытка мышьяка.