Аннотация:
Аналитически исследуется влияние внешних однородных
электрического E и магнитного H полей на
межзонное многофотонное поглощение в полупроводнике сильной световой
волны с частотой $\omega_{1}$ и амплитудой электрического поля
$F_{1}$ в присутствии другой сильной световой волны с частотой
$\omega_{0}$ и полем $F_{0}$. Обе световые волны считаются
поляризованными параллельно магнитному полю и перпендикулярно электрическому.
Получены явные выражения для мощности поглощаемого излучения
$P(\omega_{1})$. Спектр поглощения зависит от соотношения между расстройкой
частот ${\Omega=\omega_{1}-\omega_{0}}$ и характерной частотой
${\Omega_{R}=e^{2}F_{0}F_{1}(2\mu\hbar\omega_{0}\omega_{1})^{-1}}$
($\mu$ — приведенная эффективная масса электронов и дырок). Электрическое
поле E вызывает возгорание новых серий спектральных линий и сдвиг
спектра в длинноволновую сторону. Поле ${E\perpH}$ придает
изменению амплитуды высокочастотных осцилляции немонотонный характер. Путем
незначительной вариации величины $E$
можно достичь резкого изменения в поглощении.