RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 10, страницы 1813–1818 (Mi phts3571)

Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах

М. М. Аникин, В. В. Евстропов, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин


Аннотация: Показано, что в эпитаксиальных $p{-}n$-структурах на основе карбида кремния политипа $6H$, полученных методом сублимации с ионным легированием и методом жидкофазной эпитаксии, при прямом смещении в диапазонах температур 300$-$800 K и токов $10^{-4}{-}10^{0}\,\text{А/см}^{2}$ существует термоинжекционный ток ${J=J_{0}\exp (qU/\beta kT}$), характеризующийся неклассическим значением (${\beta=6/5}$, не зависящим от температуры. При этом предэкспоненциальный множитель $J_{0}$ зависит от обратной температуры экспоненциально с энергией активации ${E_{a}\approx E_{g}/\beta}$.
Экспериментальные данные удовлетворяют термоинжекционной модели — расширенной теории Шокли$-$Нойса$-$Саа: рекомбинации в слое объемного заряда $p{-}n$-перехода через многоэлектронный центр. Под полученным в работе значением ${\beta=6/5}$ подразумевается пятиэлектронный центр с 4 мелкими (термализованными) и 1 глубоким (нетермализованным) уровнями.
Обнаружено, что много электронные рекомбинационные центры в структурах, полученных методом жидкофазной эпитаксии, отличаются от центров в структурах, полученных методом сублимации и ионного легирования, меньшей глубиной залегания мелкого уровня.



© МИАН, 2024