Аннотация:
Исследованы шум $1/f$ и кинетика долговременной релаксации
фотопроводимости в чистом эпитаксиальном GaAs. Ранее для аналогичных
образцов GaAs было показано, что шум $1/f$ в этом материале имеет объемную
природу и обусловлен флуктуациями числа носителей па уровнях
«хвоста» плотности состояний вблизи зоны проводимости.
В настоящей работе показано, что за долговременную релаксацию фотопроводимости
ответственны те же уровни, которые вызывают шум $1/f$ в GaAs.