Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs

Проведены исследования влияния импульсного лазерного облучения (ИЛО) на профиль проводимости и подвижности эпитаксиальных слоев GaAs$\langle\text{Ge}\rangle$ $n{-}i$- и $n^{+}{-}n{-}i$-структур в нормальных условиях и в условиях повышенного давления (до 200 атм) в атмосфере Аr и O$_{2}$.
Показано, что ИЛО GaAs приводит к возникновению на поверхности слабопроводящего слоя в зависимости от плотности энергии облучения $E$. Обсуждаются возможные причины снижения активности примеси и данные электронографии по качеству поверхности образцов в зависимости от условий облучения материала.