Емкостная спектроскопия глубоких уровней облученных твердых растворов германий$-$кремний

Методом DLTS исследованы облученные $\gamma$-квантами $^{60}$Со барьеры Шоттки, изготовленные на твердых растворах Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant0.04}$), легированных сурьмой. Получены основные параметры радиационных дефектов, изучены кинетика дефектообразования на начальных стадиях облучения и влияние отжига на термическую стабильность радиационных дефектов. Предложен новый метод обработки сложных спектров DLTS.