Теория прыжковой фотопроводимости при длинноволновом возбуждении

Построена теория частотной зависимости низкотемпературной прыжковой фотопроводимости, возникающей под действием инфракрасного света в системе с локализованными состояниями (ЛС) вблизи уровня Ферми, например в аморфном полупроводнике. Большинство поглощающих свет близких пар ЛС не дает вклада в фотопроводимость, так как электрон и дырка рекомбинируют, не покидая такой пары. Показано, что фотопроводимость обусловлена лишь редкими поглощающими свет парами, которые обладают цепочками ЛС, позволяющими электрону и дырке разойтись на большое расстояние. Такую пару можно представить себе как фотоэлемент с «проводами», в то время как типичная поглощающая жара проводов лишена.