Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной проводимости

Описан метод, позволяющий определить энергию ионизации и концентрацию глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике из температурных зависимостей емкости и активной проводимости. В отличие от известных методик измерения проводятся на фиксированной частоте, что повышает их точность. Приведены результаты определения параметров глубоких центров в кремнии, легированном никелем, ванадием, а также в кремнии, облученном $\gamma$-квантами.