Н. Б. Брандт, А. М. Гаськов, Е. А. Ладыгин, Е. П. Скипетров, А. Г. Хорош, “О положении локальных уровней радиационных дефектов в сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, облученных протонами”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 11,страницы 2034

О положении локальных уровней радиационных дефектов в сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, облученных протонами

Н. Б. Брандт, А. М. Гаськов, Е. А. Ладыгин, Е. П. Скипетров, А. Г. Хорош

Аннотация: Исследовано влияние облучения быстрыми протонами (${T\approx300}$ K, ${E=200}$ кэВ, ${\Phi\leqslant2\cdot10^{14}\,\text{см}^{-2}}$) на электрофизические свойства тонких слоев $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te (${0.17\leqslant x\leqslant0.26}$). Обнаружено насыщение зависимостей концентрации дырок от потока облучения, связанно с возникновением при облучении резонансного уровня, расположенного вблизи потолка валентной зоны сплавов, и стабилизацией уровня Ферми резонансным уровнем. Обсужден возможность согласования имеющихся в настоящее время данных о положении уровней радиационных дефектов в сплавах Рb$_{1-x}$Sn$_{x}$Tе.