Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом

Исследованы электрофизические свойства изолирующего гетерослоя Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (${0.07<x\leqslant0.7}$), выращенного на $n^{+}$-подложках арсенида галлия МОС гидридным методом в невакуумированной системе. Установлено, что процессы, протекающие в пограничной области GaAs$-$AlGaAs, определяются спектром и зарядовым состоянием ловушек объема изолирующего слоя. При этом наблюдается сильная связь между степенью структурного совершенства изолирующего слоя и основными электрофизическими параметрами, характеризующими процессы, протекающие в пограничной области полупроводника.
Изолирующий гетерослой Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As может использоваться как подзатворный диэлектрик, причем диапазон оптимального состава (${0.2 <x< 0.4}$) снизу ограничен сильным обменом электронами между полупроводником и ловушками изолирующего слоя, а сверху — изменением спектрального состава ловушек, связанным с ухудшением структурного совершенства изолирующего гетерослоя.