RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 9, страницы 1572–1576 (Mi phts363)

Эффекты высокополевых углов в МТДП структурах

В. Н. Добровольский, С. Т. Жубаев, Г. К. Нинидзе


Аннотация: Описываются обнаруженные на кремниевых структурах с квадратным полевым электродом связанные между собой эффекты: протекание большого тока, возникновение индуктивного адмитанса и высокая фоточувствительность.
Полученные результаты объясняются изменением процессов протекания через структуру токов дырок и электронов из-за возникновения в областях под углами полевого электрода режима внутреннего усиления тока дырок.



© МИАН, 2024