Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si${-}n$-канала

В низкотемпературной области (${T=100}$ K) исследована кинетика релаксации холловской концентрации $n_{H}$ и подвижности $\mu_{H}$ электронов в инверсионном канале Si–МОП транзисторов в условиях неравновесного заполнения пограничных состояний (ПС). Установлено, что релаксация $\mu_{H}$ и $n_{H}$ обусловлена медленным обменом электронами между инверсионным каналом и мелкими акцепторными ПС, локализованными в окисле, сопровождающимся изменениями плотности заряженных поверхностных рассеивателей и амплитуды крупномасштабного флуктуационного потенциала. Определены характеристики ПС: плотность ${\simeq2\cdot10^{10}\,\text{см}^{-2}}$, эффективное сечение захвата ${\simeq 3\cdot10^{-26}\,\text{см}^{2}}$ и энергетическая глубина ${\simeq60}$ мэВ.
Обсуждаются преимущества применения развитого подхода для выявления физических причин ограничений и долговременной нестабильности рабочих характеристик МДП транзисторов.