Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получена двойная гетероструктура (Аl, Ga)As/GaAs с $\delta$-легированной Si GaAs активной областью и исследованы ее магнитотранспортные и люминесцентные свойства. В спектре фотолюминесценции обнаружены излучательные переходы с участием подзон размерного квантования в $\delta$-легированном арсениде галлия.