Позитронная диагностика вакансионных дефектов в облученном электронами карбиде кремния

Методом измерения времени жизни позитронов проведены исследования радиационных дефектов вакансионного типа, образующихся в карбиде кремния при облучении быстрыми электронами (диапазон флюенсов ${1\cdot10^{15}{-}3\cdot10^{18}\,\text{см}^{-2}}$) при различных температурах (50, 100, 400 и $600^{\circ}$С). Обнаружено, что облучение электронами приводит к образованию по крайней мере двух типов вакансионных дефектов. Дефекты первого типа, стабильные до температур отжига ${T_{a}=150^{\circ}}$С, представляют собой, вероятно, генетически связанные пары Френкеля. Дефекты второго типа, которыми предположительно являются азот-вакансионные (N$-$V)-комплексы, отжигаются при ${T_{a}\geqslant1400^{\circ}}$С. Показано, что в процессе термического отжига (диапазон ${T_{a}=1000{-}1200^{\circ}}$С) образцов карбида кремния, облученных до высоких флюенсов электронов, имеет место процесс образования вакансионных кластеров, который существенным образом связан с концентрацией примесного азота.