Инверсия населенностей зон в тонких полупроводниковых слоях, создаваемая переменным электрическим полем

Исследована возможность создания инверсных населенностей зон в тонком полупроводниковом слое, помещенном в сильное электрическое поле. Показано, что условия на характеристики полупроводника и возбуждающего поля, необходимые для получения инверсии в тонком слое, значительно слабее, чем в массивном образце.