$\Gamma X$-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния на междолинных фононах

Рассчитан коэффициент прохождения $\Gamma$-электронов, падающих на резкую гетерограницу, пройдя которую они становятся $X$-электронами. Этот переход может быть как бесфононным, так и с приграничным поглощением или испусканием междолинного фонона. В последних случаях расчет может быть выполнен в рамках метода эффективной массы; результаты такого расчета показывают, что вклад этого процесса как качественно (энергетические и температурные зависимости), так и количественно близок к бесфононному вкладу. Бесфононный вклад учтен на основе полуфеноменологической модели, удовлетворительно подтверждаемой микротеорией. $\Gamma X$-переход в реальном пространстве может быть эффективен в приборах с $N$-ОДП. Обсуждены способы экспериментального разделения вкладов от указанных выше механизмов $\Gamma X$-переноса.