Спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника

Теоретически и экспериментально исследовано новое явление — спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника.
Такое эхо возникает в системе оптически ориентированных по спину электронов в варизонном полупроводнике $p$-типа, в котором $g$-фактор электронов линейно зависит от координаты $x$ в направлении градиента ширины запретной зоны $\nabla E_{g}$ и на некотором расстоянии от широкозонной поверхности в точке $x_{0}$ изменяет знак. Полупроводник находится в однородном постоянном магнитном поле $H$, перпендикулярном $\nabla E_{g}$. Электроны, ориентированные по спину, генерируются на широкозонной поверхности полупроводника и дрейфуют в варизонном поле; при этом их спины прецессируют в магнитном поле. Эффект спинового эха заключается в том, что в точке ${x_{e}=2x_{0}}$ ориентация электронных спинов всегда независимо от величины магнитного поля оказывается такой же, как и на широкозонной поверхности, где они возбуждаются.
Основные закономерности спинового эха экспериментально изучены методом поляризованной фотолюминесценции в варизонных структурах $p$-GaAlAs.
Показано качественное и количественное согласие эксперимента с теорией.