Резонансы гальваномагнитных эффектов в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в сильных электрических полях

Исследованы осцилляции магнитосопротивления и эффекта Холла монокристаллов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с ${x\approx0.2}$ и с составами, отвечающими окрестностям пересечения термов $\Gamma_{6}$ и $\Gamma_{8}$, в сильном электрическом поле и в магнитных полях до 32 Т. В кристаллах с положительной $E_{g}$ при температуре выше ${\sim15}$ K наблюдается серия максимумов магнитосопротивления, обусловленных резонансной оже-рекомбинацией неравновесных носителей, сопровождающейся переходами как на край валентной зоны, так и на акцепторный уровень. Анализируются сильные температурные смещения пиков. В области низких температур проявляются осцилляции, связанные с резонансными переходами с нижнего уровня Ландау зоны проводимости в валентную зону либо на уровень дефекта, сопровождающимися испусканием нескольких $LO$-фононов. В образцах с малыми по модулю отрицательными $E_{g}$ обнаружены необычно сильные пики магнитосопротивления, положения которых отвечают механизму резонансных переходов через открывающуюся в магнитном поле щель с испусканием нескольких (до пяти) $LO$-фононов. Амплитуды данной серии многофононных пиков очень слабо затухают с ростом числа участвующих фононов. Наблюдаются осцилляции коэффициента Холла, указывающие на осцилляции концентрации неравновесных носителей.