Немонотонная зависимость ширины запрещенной зоны в пленке бесщелевого полупроводника

Аналитически исследован спектр уровней размерного квантования пленки бесщелевого полупроводника в широкозонном материале. Показано, что с увеличением толщины пленки $d$ ширина запрещенной зоны сначала уменьшается, обращаясь при некоторой толщине $d_{1}$ в нуль; затем растет при ${d_{1}<d<d_{2}}$ и далее при ${d>d_{2}}$ опять убывает. Это поведение связано с перестройкой спектра, обусловленной пересечением уровня, происходящего из пограничных состояний отдельных гетерограниц, с уровнями размерного квантования.